|
|
Samsung Electronics telah mengumumkan bahwa mereka telah menyelesaikan pengembangan modul DRAM DDR4 pertama di industri elektronik dunia bulan lalu. Pengembangan menggunakan teknologi proses 30nm-kelas, dan modul memori unbuffered menyediakan dual in-line (UDIMM) 1.2V 2GB DDR4 ke produsen controller senilai pengujian.The DDR4 DRAM baru modul dapat mencapai kecepatan transfer data di 1.2V 2.133Gbps, daya yang lebih efisien dan lebih cepat bila dibandingkan dengan 1.35V dan 1.5V DRAM DDR3 dari teknologi proses 30nm yang setara, dengan kecepatan hingga 1.6Gbps.
Di notebook, modul DDR4 akan mengurangi konsumsi daya hingga 40 persen dibandingkan dengan 1.5V modul DDR3.
Modul ini menggunakan Pseudo Terbuka Drain (POD) teknologi, yang memungkinkan DDR4 DRAM untuk mengkonsumsi hanya setengah arus listrik dari DDR3 saat membaca dan menulis data. Dengan menggunakan arsitektur sirkuit baru, DDR4 Samsung akan dapat dijalankan pada sampai 3.2Gbps, dibandingkan dengan kecepatan khas hari ini dari 1.6Gbps untuk 800Mbps senilai DDR3 dan DDR2.
Samsung kini berencana untuk bekerja sama dengan sejumlah pembuat server untuk membantu memastikan penyelesaian teknologi standardisasi JEDEC DDR4 pada semester kedua tahun ini. Samsung mengembangkan industri DDR DRAM pertama 1997, DDR2 DRAM pertama di tahun 2001, dan DDR3 DRAM 80nm pertama yang menggunakan teknologi kelas pada tahun 2005.
|
|
0 komentar:
Posting Komentar